Profesor Polskiej Akademii Nauk. Ekspert w dziedzinie półprzewodników i wzrostu kryształów, w szczególności bazujących na azotku galu. Wiceprezes firmy TopGaN Lasers Sp.z.o.o. produkującej diody laserowe na bazie GaN do zastosowań w technologiach kwantowych, telekomunikacji, przemyśle. Lider kilkudziesięciu grantów i zadań badawczych finansowanych przez polskie i europejskie źródła. Recenzent ponad 100 projektów badawczych i 15 prac doktorskich i habilitacyjnych, opiekun 7 prac doktorskich. Autor ponad 350 publikacji, cytowanych ok 5000 razy (wskaźnik H 32-38).

Stopnie akademickie

• Tytuł profesora 2004.
• Habilitacja 1996 Instytut Fizyki PAN (Mikrostruktura związków III-V)
• Doktorat 1990 Instytut Fizyki PAN (Parametry sieci związków III-V w funkcji temperatury i oświetlenia)
• Magister Wydział Fizyki Uniwersytetu Warszawskiego (Topografia rentgenowska kryształów Si po procesie wysokociśnieniowym.

Doświadczenie zawodowe

• 2003 –do dzisiaj, wiceprezes TopGaN, spin-off’u z IWC PAN, odpowiedzialny za działania B+R
  
• 1997 - 2005 - konsultant Philips Analytical,
• 1996 – profesor w Centrum Energii Atomowej(CEA) Grenoble (Francja),
• 1990 - 92, post-doc w Intitute of Theoretical Physics Trieste (Italy) i Institute of Advanced Materials Brindisi (Włochy),
• 1980 – do dzisiaj, Instytut Wysokich Ciśnień PAN UNIPRESS.

Działania badawcze

• 2000 – do dzisiaj, kierownik Laboratorium Mikrostruktury Półprzewodników, badania mikrostrukturalnych własności warstw i struktur kwantowych AlGaInN w funkcji parametrów wzrostu MOVPE i porównanie tych własności z własnościami optycznymi i elektrycznymi istotnymi dla funkcjonowania azotkowych diod laserowych (UV/niebieskie/zielone) i tranzystorów.
• 1995-2000: organizacja laboratorium epitaksji w Unipress’ie (metalorganic chemical vapour phase epitaxy - MOVPE).
• 1980-1994: badania przy użyciu wysokorozdzielczej dyfrakcji rentgenowskiej (XRD) defektów w półprzewodnikach GaAs, InP i GaN. Najważniejsze wyniki: i) obserwacja metastabilności defektów EL2 pod wpływem temperatury I oświetlenia, ii) określenie parametrów sieci GaAs i GaN w funkcji koncentracji domieszek.

Działania komercyjne

Od 2003 wiceprezes TopGaN, firmy produkującej:

• Diody laserowe (LD) 380-390 nm do zastosowań w sensoryce i w aplikacjach stymulujących chemiczne reakcje.
• LD 430-440 nm LDs do zegarów atomowych i innych aplikacjach kwantowych,
• Matryce LD o dużej mocy do spawania miedzi,
• Master Oscillator Power Amplifiers (MOPA) dla zastoswowań kwantowych i w telekomunikacji. Quantum Tech and telecom applications.

Produkty te są opracowywane wspólnie z partnerami ze Szkocji, Włoch i Niemiec.